쏘닉스(대표이사 양형국)가 과학기술정보통신부에서 추진하는 ‘2026년도 차세대 광 기반 연산 반도체 핵심기술 개발사업’의 ‘초고집적 다차원 광연산 인공신경망 구현을 위한 광집적회로 기술 개발’ 과제의 공동연구개발기관으로 선정됐다고 밝혔다.

이번 과제는 차세대 고성능·저전력 인공지능(AI) 연산을 위한 광집적회로(PIC) 기반 다차원·비선형 광학신경망 원천기술을 개발하는 국가연구개발사업이다. KAIST가 주관하고 DGIST, NTT Research 및 쏘닉스가 공동으로 참여하며, 오는 2030년까지 총 90억원의 정부지원금이 투입된다.

본 과제의 핵심은 AI 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 광연산 핵심기술을 개발하고, 이를 실제 AI 환경에서 상용 가능성을 검증하는 것을 목표로 한다. 기존의 전자 기반 AI 반도체는 전력 소모와 연산 속도에 한계점이 존재했지만, 차세대 광연산 반도체 핵심 기술을 적용할 경우 데이터 이동에 따른 전력 소모를 비롯해 발열, 병렬처리의 한계 등을 극복할 수 있을 것으로 보인다.

쏘닉스는 오는 2029년부터 시작되는 2단계 연구개발에 참여하게 된다. 회사는 빛의 신호를 빠르고 정밀하게 제어하는 데 적합한 박막형 광소재 TFLN(Thin-Film Lithium Niobate, 박막 리튬 나이오베이트)과 TFLT(Thin-Film Lithium Tantalate, 박막 리튬 탄탈레이트) 기반의 PIC 공정 기술 및 파운드리 역량을 활용하여 광연산 칩 제작과 공정 이식, 시작품 구현을 담당할 예정이다.

쏘닉스는 연구개발 종료 후 연구성과를 양산 가능한 제조공정으로 전환해 광 AI 반도체의 상용화 기반을 마련하고, 국내 광반도체 제조 생태계 구축에도 기여할 계획이다.

쏘닉스 관계자는 “이번 국가연구개발과제 참여는 쏘닉스의 광반도체 파운드리 기술을 광 AI 반도체 분야로 확장하는 계기가 될 것”이라며 “연구성과가 시작품 제작을 넘어 양산과 상용화로 이어질 수 있도록 제조 경쟁력을 강화하고 국내 광반도체 산업 발전에 기여하겠다”고 밝혔다.