빅텍(대표 임만규)은 GaN(질화갈륨) 기반 고출력 RF mmWave 반도체 및 증폭기 설계 기술을 보유한 미국 반도체 기업 Nxbeam과 전략적 협력 양해각서(MOU)를 체결했다고 밝혔다. 이번 협약은 차세대 전자전 및 위성 통신 시스템에 적용되는 고출력 RF 반도체 핵심 기술을 확보하고, 국방 반도체 기술 자립 기반을 강화하기 위한 전략적 협력의 일환이다.

Nxbeam은 세계 최고 수준의 GaN 반도체 제조 역량을 보유한 미국 방산기업 Northrop Grumman사의 GaN 반도체 제조 시설(fab)을 활용하여 반도체를 생산하고 있는 기업으로, 위성 통신 및 국방 전자 분야에서 요구되는 초고주파 고출력 반도체 설계 역량을 보유하고 있다.

고출력 GaN RF 반도체는 전자전 재머, 위성 통신, AESA 레이더 등 첨단 국방 시스템의 핵심 반도체로, 기술 확보 여부가 무기체계 성능과 직결되는 전략적 핵심 기술이다. 특히 GaN 기반 반도체는 기존 반도체 대비 높은 출력 성능과 효율을 제공하며, 차세대 국방 전자전 및 위성 통신 시스템의 핵심 기술로 활용 범위가 빠르게 확대되고 있다.

빅텍은 이번 Nxbeam과의 전략적 협력을 통해 Nxbeam사의 고출력 GaN 반도체 설계 기술과 빅텍의 증폭기 및 시스템 기술을 연계함으로써 국방 반도체 핵심 기술 확보와 기술 자립 기반을 강화하고, 글로벌 전자전 및 위성 통신 시장 진입을 위한 중요한 기술적 교두보를 확보하게 되었다.

빅텍 관계자는 “이번 Nxbeam과의 협력은 세계 최고 수준의 GaN 반도체 제조 기반과 설계 기술을 활용하여 고출력 RF 반도체 및 증폭기 기술 경쟁력을 확보하기 위한 전략적 결정”이라며, “이를 통해 국내 국방 반도체 기술 자립 기반을 강화하고, 전자전 및 위성 통신 분야에서 글로벌 수준의 기술 경쟁력을 확보해 나가겠다”고 밝혔다.