SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 노광 장비 ‘High NA EUV’를 양산용으로 도입했다. 회사는 3일 경기도 이천 M16 팹에서 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’ 장비 반입 기념식을 열고 초미세 공정 경쟁력 강화를 공식화했다.

이번 장비는 개구수(NA) 0.55를 적용한 세계 최초 양산용 High NA EUV 모델이다. 기존 EUV(0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술을 기반으로 1.7배 정밀한 회로 패턴 구현과 2.9배 높은 집적도를 가능하게 한다. 반도체 제조에서 회로 선폭이 줄어들수록 웨이퍼당 칩 생산량과 전력 효율, 성능이 개선되는 만큼, 업계에서는 이번 도입을 공정 단순화와 생산성 향상의 전환점으로 보고 있다.

행사에는 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO), 이병기 제조기술 부사장, 김병찬 ASML코리아 사장 등이 참석해 차세대 D램 개발 협력 의지를 확인했다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램 공정에 EUV를 처음 적용한 이후 차세대 제품으로 확대해왔다. 그러나 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장 확대에 따라 기존 EUV를 넘어서는 초미세화 기술 확보가 필요하다는 판단 아래 High NA EUV 장비를 도입했다.

차선용 CTO는 이번 장비 도입이 미래 기술 비전 실현을 위한 핵심 인프라 확보라는 점을 강조하며 AI 메모리 시장에서 선도적 위치를 강화하겠다고 밝혔다. 김병찬 ASML코리아 사장은 High NA EUV가 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술이라며 협력 강화를 약속했다.